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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQU5N50CTU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQU5N50CTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQU5N50CTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQU5N50CTU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FQ(D,U)5N50C.pdf
En stock: 5200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQU5N50CTU
onsemi - FQU5N50CTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQU5N50CTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base FQU5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQU5N50CTU

Attributs du produit FQU5N50CTU FQU5N60CTU FQU5N50CTU-WS FQU5N40TU
Modèle de produit FQU5N50CTU FQU5N60CTU FQU5N50CTU-WS FQU5N40TU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Numéro de produit de base FQU5 - FQU5N50 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 2.8A (Tc) 4A (Tc) 3.4A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 400 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Bulk Tube Bulk

Fiche technique FQU5N50CTU PDF

Téléchargez FQU5N50CTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQU5N50CTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQ(D,U)5N50C.pdf
Conception / spécification PCN
Passivation Material 14/May/2008.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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