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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQU17P06TU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQU17P06TU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQU17P06TU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQU17P06TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FQU17P06TU.pdf
État RoHS
En stock: 90090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQU17P06TU
onsemi - FQU17P06TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQU17P06TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base FQU17P06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQU17P06TU

Attributs du produit FQU17P06TU FQU17P06TU FQU13N10LTU FQU13N10LTU
Modèle de produit FQU17P06TU FQU17P06TU FQU13N10LTU FQU13N10LTU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 6A, 10V 135mOhm @ 6A, 10V 180mOhm @ 5A, 10V 180mOhm @ 5A, 10V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
Numéro de produit de base FQU17P06 - FQU13N10 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V

Fiche technique FQU17P06TU PDF

Téléchargez FQU17P06TU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQU17P06TU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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