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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQT7N10TF
FQT7N10TF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQT7N10TF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQT7N10TF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQT7N10TF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
FQT7N10.pdf
État RoHS
En stock: 67080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQT7N10TF
onsemi - FQT7N10TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQT7N10TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 850mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc)  
Numéro de produit de base FQT7N10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQT7N10TF

Attributs du produit FQT7N10TF FQT4N25TF FQT5P10TF FQT7N10LTF
Modèle de produit FQT7N10TF FQT4N25TF FQT5P10TF FQT7N10LTF
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 250 V 100 V 100 V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 850mA, 10V 1.75Ohm @ 415mA, 10V 1.05Ohm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 850mA, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 6 nC @ 5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc) 830mA (Tc) 1A (Tc) 1.7A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±20V
Numéro de produit de base FQT7N10 - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2W (Tc) 2.5W (Tc) 2W (Tc) 2W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4

Fiche technique FQT7N10TF PDF

Téléchargez FQT7N10TF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQT7N10TF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 14/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
FQT7N10.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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