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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQT13N06LTF
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQT13N06LTF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQT13N06LTF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQT13N06LTF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
FQT13N06L.pdf
État RoHS
En stock: 51740

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQT13N06LTF
onsemi - FQT13N06LTF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQT13N06LTF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc)  
Numéro de produit de base FQT13N06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQT13N06LTF

Attributs du produit FQT13N06LTF FQT13N06TF FQT1N60CTF-WS FQT3P20TF
Modèle de produit FQT13N06LTF FQT13N06TF FQT1N60CTF-WS FQT3P20TF
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base FQT13N06 FQT13N06 FQT1N60 FQT3P20
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.4A, 10V 140mOhm @ 1.4A, 10V 11.5Ohm @ 100mA, 10V 2.7Ohm @ 335mA, 10V
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Fonction FET - - - -
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 600 V 200 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Tc) 2.1W (Tc) 2.1W (Tc) 2.5W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc) 2.8A (Tc) 200mA (Tc) 670mA (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V 7.5 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique FQT13N06LTF PDF

Téléchargez FQT13N06LTF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQT13N06LTF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Parts obs 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 14/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
FQT13N06L.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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