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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF9N90CT
FQPF9N90CT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF9N90CT - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF9N90CT
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF9N90CT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF9N90CT.pdf
État RoHS
En stock: 18635

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF9N90CT
onsemi - FQPF9N90CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF9N90CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF9N90CT

Attributs du produit FQPF9N90CT FQPF9N90C FQPF9N25CYDTU FQPF9N50CF
Modèle de produit FQPF9N90CT FQPF9N90C FQPF9N25CYDTU FQPF9N50CF
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 (Y-Forming) TO-220F-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc) 68W (Tc) 38W (Tc) 44W (Tc)
Séries QFET® QFET® QFET® FRFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 900 V 900 V 250 V 500 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 4A, 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V 430mOhm @ 4.4A, 10V 850mOhm @ 4.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 8A (Tc) 8.8A (Tc) 9A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numéro de produit de base FQPF9 FQPF9 - -

Fiche technique FQPF9N90CT PDF

Téléchargez FQPF9N90CT PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF9N90CT - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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