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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF6N60C
FQPF6N60C Image
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FQPF6N60C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF6N60C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF6N60C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220F
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQP(F)6N60C.pdf
Notre certification
En stock: 4910

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FQPF6N60C
onsemi - FQPF6N60C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF6N60C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF6  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF6N60C

Attributs du produit FQPF6N60C FQPF6N60 FQPF6N40C FQPF6N80
Modèle de produit FQPF6N60C FQPF6N60 FQPF6N40C FQPF6N80
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc) 3.6A (Tc) 6A (Tc) 3.3A (Tc)
Numéro de produit de base FQPF6 - - FQPF6
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 400 V 800 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.75A, 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 44W (Tc) 38W (Tc) 51W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique FQPF6N60C PDF

Téléchargez FQPF6N60C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF6N60C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Passivation Material 26/June/2007.pdf
Feuilles de données
FQP(F)6N60C.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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