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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF5N60C
FQPF5N60C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF5N60C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF5N60C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF5N60C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQP5N60C, FQPF5N60C.pdf
État RoHS
En stock: 42238

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF5N60C
onsemi - FQPF5N60C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF5N60C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF5N60C

Attributs du produit FQPF5N60C FQPF5N60 FQPF5N80 FQPF5N50CFTU
Modèle de produit FQPF5N60C FQPF5N60 FQPF5N80 FQPF5N50CFTU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries QFET® QFET® QFET® FRFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 2.8A (Tc) 2.8A (Tc) 5A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc) 40W (Tc) 47W (Tc) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2.25A, 10V 2Ohm @ 1.4A, 10V 2.6Ohm @ 1.4A, 10V 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 500 V
Numéro de produit de base FQPF5 - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V 1250 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V

Fiche technique FQPF5N60C PDF

Téléchargez FQPF5N60C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF5N60C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 26/June/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
FQP5N60C, FQPF5N60C.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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