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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF4N25
FQPF4N25 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF4N25 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF4N25
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF4N25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF4N25.pdf
En stock: 5490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF4N25
onsemi - FQPF4N25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF4N25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 1.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF4N25

Attributs du produit FQPF4N25 FQPF4N80 FQPF45N15V2 FQPF4N50
Modèle de produit FQPF4N25 FQPF4N80 FQPF45N15V2 FQPF4N50
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 1.4A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 40mOhm @ 22.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.15A, 10V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Numéro de produit de base FQPF4 FQPF4 FQPF4 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 250 V 800 V 150 V 500 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc) 43W (Tc) 66W (Tc) 35W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc) 2.2A (Tc) 45A (Tc) 2.3A (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FQPF4N25 PDF

Téléchargez FQPF4N25 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF4N25 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQPF4N25.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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