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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF34N20L
FQPF34N20L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FQPF34N20L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF34N20L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF34N20L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF34N20L.pdf
Notre certification
En stock: 4200

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FQPF34N20L
onsemi - FQPF34N20L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF34N20L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 8.75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF3  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF34N20L

Attributs du produit FQPF34N20L FQPF3N50C FQPF3N50C FQPF3N40
Modèle de produit FQPF34N20L FQPF3N50C FQPF3N50C FQPF3N40
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 200 V 500 V 500 V 400 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 5 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base FQPF3 - FQPF3 FQPF3
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 20W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 8.75A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 3.4Ohm @ 800mA, 10V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17.5A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 1.6A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V 365 pF @ 25 V 365 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique FQPF34N20L PDF

Téléchargez FQPF34N20L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF34N20L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQPF34N20L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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