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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF18N20V2YDTU
FQPF18N20V2YDTU Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF18N20V2YDTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF18N20V2YDTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF18N20V2YDTU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Fiche technique
FQP18N20V2, FQPF18N20V2.pdf
En stock: 5040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF18N20V2YDTU
onsemi - FQPF18N20V2YDTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF18N20V2YDTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3 (Y-Forming)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Formed Leads  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF18N20V2YDTU

Attributs du produit FQPF18N20V2YDTU FQPF19N10L FQPF17P06 FQPF19N10L
Modèle de produit FQPF18N20V2YDTU FQPF19N10L FQPF17P06 FQPF19N10L
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 38W (Tc) 39W (Tc) 38W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220F-3 (Y-Forming) TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V 120mOhm @ 6A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 13.6A (Tc) 12A (Tc) 13.6A (Tc)
Numéro de produit de base FQPF1 FQPF1 - -
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 60 V 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

Fiche technique FQPF18N20V2YDTU PDF

Téléchargez FQPF18N20V2YDTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF18N20V2YDTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQP18N20V2, FQPF18N20V2.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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