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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF10N60CF
FQPF10N60CF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF10N60CF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF10N60CF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF10N60CF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQP10N60CF, FQPF10N60CF.pdf
En stock: 4940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF10N60CF
onsemi - FQPF10N60CF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF10N60CF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries FRFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF10N60CF

Attributs du produit FQPF10N60CF FQPF10N50CF FQPF10N20C FQPF11N40C
Modèle de produit FQPF10N60CF FQPF10N50CF FQPF10N20C FQPF11N40C
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 48W (Tc) 38W (Tc) 44W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V 2096 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 1090 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V 610mOhm @ 5A, 10V 360mOhm @ 4.75A, 10V 530mOhm @ 5.25A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 200 V 400 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FQPF1 FQPF10 FQPF10 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc) 10A (Tc) 9.5A (Tc) 10.5A (Tc)
Séries FRFET® FRFET® QFET® QFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

Fiche technique FQPF10N60CF PDF

Téléchargez FQPF10N60CF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF10N60CF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQP10N60CF, FQPF10N60CF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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