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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP9N50C
FQP9N50C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP9N50C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP9N50C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP9N50C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP9N50C, FQPF9N50C.pdf
État RoHS
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP9N50C
onsemi - FQP9N50C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP9N50C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 135W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP9N50C

Attributs du produit FQP9N50C FQP9N15 FQPF10N20C FQP9N50
Modèle de produit FQP9N50C FQP9N15 FQPF10N20C FQP9N50
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 150 V 200 V 500 V
Dissipation de puissance (max) 135W (Tc) 75W (Tc) 38W (Tc) 147W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Numéro de produit de base FQP9 - - -
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220F-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 360mOhm @ 4.75A, 10V 730mOhm @ 4.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) 9.5A (Tc) 9A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique FQP9N50C PDF

Téléchargez FQP9N50C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP9N50C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP9N50C, FQPF9N50C.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf
Conception / spécification PCN
Passivation Material 14/May/2008.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FQP9N50C

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32D-FQP9N50C

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