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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP90N08
FQP90N08 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP90N08 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP90N08
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP90N08
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 71A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP90N08.pdf
En stock: 5480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP90N08
onsemi - FQP90N08 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP90N08

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 35.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 71A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP90N08

Attributs du produit FQP90N08 FQP8N80C FQP9N25C FQP9N25
Modèle de produit FQP90N08 FQP8N80C FQP9N25C FQP9N25
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 71A (Tc) 8A (Tc) 8.8A (Tc) 9.4A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 35.5A, 10V 1.55Ohm @ 4A, 10V 430mOhm @ 4.4A, 10V 420mOhm @ 4.7A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 25 V 2050 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 178W (Tc) 74W (Tc) 90W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 80 V 800 V 250 V 250 V
Numéro de produit de base FQP9 - - -
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Séries QFET® QFET® QFET® -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

Fiche technique FQP90N08 PDF

Téléchargez FQP90N08 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP90N08 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP90N08.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FQP90N08

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32D-FQP90N08

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