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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP6N60C
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FQP6N60C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP6N60C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP6N60C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP(F)6N60C.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 43100

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FQP6N60C
onsemi - FQP6N60C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP6N60C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP6  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) Not Applicable
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP6N60C

Attributs du produit FQP6N60C FQP6N60C FQP6N80C FQP6N50C
Modèle de produit FQP6N60C FQP6N60C FQP6N80C FQP6N50C
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 125W (Tc) 158W (Tc) 98W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V 1310 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base FQP6 - FQP6 FQP6
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 500 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.75A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V 2.5Ohm @ 2.75A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique FQP6N60C PDF

Téléchargez FQP6N60C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP6N60C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 26/June/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP(F)6N60C.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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