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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP55N10
FQP55N10 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP55N10 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP55N10
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP55N10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP55N10.pdf
État RoHS
En stock: 33185

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP55N10
onsemi - FQP55N10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP55N10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 27.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 155W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP55  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP55N10

Attributs du produit FQP55N10 FQP50N06L FQP5N20L FQP50N06
Modèle de produit FQP55N10 FQP50N06L FQP5N20L FQP50N06
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FQP55 - FQP5 FQP50
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 27.5A, 10V 21mOhm @ 26.2A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 155W (Tc) 121W (Tc) 52W (Tc) 120W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 200 V 60 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 5V, 10V 10V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 6.2 nC @ 5 V 41 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc) 52.4A (Tc) 4.5A (Tc) 50A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 1540 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique FQP55N10 PDF

Téléchargez FQP55N10 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP55N10 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP55N10.pdf
Assemblage / origine PCN
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-FQP55N10

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