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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP3N60C
FQP3N60C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP3N60C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP3N60C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP3N60C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP3N60C.pdf
État RoHS
En stock: 65580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP3N60C
onsemi - FQP3N60C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP3N60C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 565 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP3N60C

Attributs du produit FQP3N60C FQP34N20 FQP3N60 FQP3N25
Modèle de produit FQP3N60C FQP34N20 FQP3N60 FQP3N25
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1.5A, 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.5A, 10V 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 31A (Tc) 3A (Tc) 2.8A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 5.2 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FQP3 FQP34 - -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 565 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 200 V 600 V 250 V
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 180W (Tc) 75W (Tc) 45W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique FQP3N60C PDF

Téléchargez FQP3N60C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP3N60C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 14/May/2008.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP3N60C.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab 28/Jul/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FQP3N60C

onsemi
32D-FQP3N60C

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