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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD7P20TF
FQD7P20TF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD7P20TF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD7P20TF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD7P20TF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQD7P20TF.pdf
En stock: 4490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD7P20TF
onsemi - FQD7P20TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD7P20TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.85A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD7P20TF

Attributs du produit FQD7P20TF FQD8N25TF FQD7P06TM FQD7P20TM
Modèle de produit FQD7P20TF FQD8N25TF FQD7P06TM FQD7P20TM
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 295 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base FQD7 - FQD7P06 FQD7P20
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.85A, 10V 550mOhm @ 3.1A, 10V 451mOhm @ 2.7A, 10V 690mOhm @ 2.85A, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 250 V 60 V 200 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Tc) 6.2A (Tc) 5.4A (Tc) 5.7A (Tc)

Fiche technique FQD7P20TF PDF

Téléchargez FQD7P20TF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD7P20TF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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