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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD6N40TM
FQD6N40TM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD6N40TM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD6N40TM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD6N40TM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQD6N40, FQU6N40.pdf
En stock: 5160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD6N40TM
onsemi - FQD6N40TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD6N40TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD6N40TM

Attributs du produit FQD6N40TM FQD6N40CTM FQD6N25TF FQD6N40TM
Modèle de produit FQD6N40TM FQD6N40CTM FQD6N25TF FQD6N40TM
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 8.5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.1A, 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V 1Ohm @ 2.2A, 10V 1.15Ohm @ 2.1A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc) 4.5A (Tc) 4.4A (Tc) 4.2A (Tc)
Numéro de produit de base FQD6 - FQD6 -
Tension drain-source (Vdss) 400 V 400 V 250 V 400 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA

Fiche technique FQD6N40TM PDF

Téléchargez FQD6N40TM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD6N40TM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQD6N40, FQU6N40.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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