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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD5N15TF
FQD5N15TF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD5N15TF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD5N15TF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD5N15TF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQD5N15, FQU5N15.pdf
En stock: 3800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD5N15TF
onsemi - FQD5N15TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD5N15TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD5N15TF

Attributs du produit FQD5N15TF FQD5N15TF FQD5N15TM FQD4P40TM
Modèle de produit FQD5N15TF FQD5N15TF FQD5N15TM FQD4P40TM
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.15A, 10V 800mOhm @ 2.15A, 10V 800mOhm @ 2.15A, 10V 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base FQD5 - FQD5N15 FQD4P40
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc) 4.3A (Tc) 4.3A (Tc) 2.7A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 150 V 150 V 150 V 400 V

Fiche technique FQD5N15TF PDF

Téléchargez FQD5N15TF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD5N15TF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQD5N15, FQU5N15.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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