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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQB7N65CTM
FQB7N65CTM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQB7N65CTM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQB7N65CTM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQB7N65CTM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FQB7N65C.pdf
En stock: 4430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQB7N65CTM
onsemi - FQB7N65CTM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQB7N65CTM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 173W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base FQB7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQB7N65CTM

Attributs du produit FQB7N65CTM FQB7P20TM FQB7N60TM FQB7P20TM
Modèle de produit FQB7N65CTM FQB7P20TM FQB7N60TM FQB7P20TM
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Numéro de produit de base FQB7 - FQB7N60 FQB7P20
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 200 V 600 V 200 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 7.3A (Tc) 7.4A (Tc) 7.3A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 690mOhm @ 3.65A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V 690mOhm @ 3.65A, 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (max) 173W (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V

Fiche technique FQB7N65CTM PDF

Téléchargez FQB7N65CTM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQB7N65CTM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQB7N65C.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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