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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQB7N10LTM
FQB7N10LTM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQB7N10LTM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQB7N10LTM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQB7N10LTM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FQB7N10L, FQI7N10L.pdf
En stock: 3900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQB7N10LTM
onsemi - FQB7N10LTM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQB7N10LTM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 3.65A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.3A (Tc)  
Numéro de produit de base FQB7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQB7N10LTM

Attributs du produit FQB7N10LTM FQB7N30TM FQB6N90TM_AM002 FQB7N30TM
Modèle de produit FQB7N10LTM FQB7N30TM FQB6N90TM_AM002 FQB7N30TM
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.3A (Tc) 7A (Tc) 5.8A (Tc) 7A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension drain-source (Vdss) 100 V 300 V 900 V 300 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Numéro de produit de base FQB7 FQB7 FQB6 -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 3.65A, 10V 700mOhm @ 3.5A, 10V 1.9Ohm @ 2.9A, 10V 700mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 1880 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique FQB7N10LTM PDF

Téléchargez FQB7N10LTM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQB7N10LTM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQB7N10L, FQI7N10L.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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