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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQB5P10TM
FQB5P10TM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQB5P10TM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQB5P10TM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQB5P10TM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FQB5P10, FQI5P10.pdf
En stock: 5430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQB5P10TM
onsemi - FQB5P10TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQB5P10TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FQB5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQB5P10TM

Attributs du produit FQB5P10TM FQB5N60CTM FQB5N60CTM FQB630TM
Modèle de produit FQB5P10TM FQB5N60CTM FQB5N60CTM FQB630TM
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 9A (Tc)
Numéro de produit de base FQB5 FQB5 FQB5 FQB6
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) 3.13W (Ta), 78W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2.25A, 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 600 V 600 V 200 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263AB) D²PAK (TO-263)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique FQB5P10TM PDF

Téléchargez FQB5P10TM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQB5P10TM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQB5P10, FQI5P10.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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