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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQB17P06TM
FQB17P06TM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQB17P06TM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQB17P06TM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQB17P06TM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FQB17P06, FQI17P06.pdf
En stock: 3890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQB17P06TM
onsemi - FQB17P06TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQB17P06TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 79W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base FQB1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQB17P06TM

Attributs du produit FQB17P06TM FQB17P10TM FQB16N25TM FQB17P10TM
Modèle de produit FQB17P06TM FQB17P10TM FQB16N25TM FQB17P10TM
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 250 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 79W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 16.5A (Tc) 16A (Tc) 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 8.5A, 10V 190mOhm @ 8.25A, 10V 230mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 8.25A, 10V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base FQB1 FQB1 FQB1 -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)

Fiche technique FQB17P06TM PDF

Téléchargez FQB17P06TM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQB17P06TM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQB17P06, FQI17P06.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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