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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQAF65N06
FQAF65N06 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQAF65N06 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQAF65N06
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQAF65N06
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 49A TO3PF
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique
FQAF65N06.pdf
En stock: 4050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQAF65N06
onsemi - FQAF65N06 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQAF65N06

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PF  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 24.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 86W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Tc)  
Numéro de produit de base FQAF6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQAF65N06

Attributs du produit FQAF65N06 FQAF7N90 FQAF27N25 FQAF9P25
Modèle de produit FQAF65N06 FQAF7N90 FQAF27N25 FQAF9P25
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Dissipation de puissance (max) 86W (Tc) 107W (Tc) 95W (Tc) 70W (Tc)
Numéro de produit de base FQAF6 FQAF7 - FQAF9
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 24.5A, 10V 1.55Ohm @ 2.6A, 10V 110mOhm @ 9.5A, 10V 620mOhm @ 3.55A, 10V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 900 V 250 V 250 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 25 V 2280 pF @ 25 V 2450 pF @ 25 V 1180 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Tc) 5.2A (Tc) 19A (Tc) 7.1A (Tc)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-3PF TO-3PF TO-3PF TO-3PF
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V

Fiche technique FQAF65N06 PDF

Téléchargez FQAF65N06 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQAF65N06 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQAF65N06.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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