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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQA33N10L
FQA33N10L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FQA33N10L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQA33N10L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQA33N10L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FQA33N10L.pdf
Notre certification
En stock: 4080

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FQA33N10L
onsemi - FQA33N10L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQA33N10L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 163W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1630 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base FQA3  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQA33N10L

Attributs du produit FQA33N10L FQA28N50F FQA30N40 FQA36P15
Modèle de produit FQA33N10L FQA28N50F FQA30N40 FQA36P15
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FQA3 FQA2 FQA30 FQA36
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 500 V 400 V 150 V
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3PN TO-3PN
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V 140 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 163W (Tc) 310W (Tc) 290W (Tc) 294W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 28.4A (Tc) 30A (Tc) 36A (Tc)
Séries QFET® FRFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1630 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 3320 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 18A, 10V 160mOhm @ 14.2A, 10V 140mOhm @ 15A, 10V 90mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique FQA33N10L PDF

Téléchargez FQA33N10L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQA33N10L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQA33N10L.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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