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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleFGL60N100BNTDTU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FGL60N100BNTDTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FGL60N100BNTDTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FGL60N100BNTDTU
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1000V 60A 180W TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
FGL60N100BNTD.pdf
État RoHS
En stock: 4550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FGL60N100BNTDTU
onsemi - FGL60N100BNTDTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FGL60N100BNTDTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1000 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A  
Condition de test 600V, 60A, 51Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 140ns/630ns  
énergie de commutation -  
Package composant fournisseur TO-264-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.2 µs  
Puissance - Max 180 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT and Trench  
gate charge 275 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A  
Numéro de produit de base FGL60N100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FGL60N100BNTDTU

Attributs du produit FGL60N100BNTDTU FGL40N120ANTU FGL12040WD FGL60N100BNTD
Modèle de produit FGL60N100BNTDTU FGL40N120ANTU FGL12040WD FGL60N100BNTD
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A 64 A 80 A 60 A
Séries - - - -
gate charge 275 nC 220 nC 226 nC 275 nC
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.2 µs - 71 ns 1.2 µs
Puissance - Max 180 W 500 W 391 W 180 W
type de IGBT NPT and Trench NPT Trench Field Stop NPT and Trench
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 140ns/630ns 15ns/110ns 45ns/560ns 140ns/630ns
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1000 V 1200 V 1200 V 1000 V
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120 A 160 A 100 A 120 A
énergie de commutation - 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) 4.1mJ (on), 1mJ (off) -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A 3.2V @ 15V, 40A 2.9V @ 15V, 40A 2.9V @ 15V, 60A
Condition de test 600V, 60A, 51Ohm, 15V 600V, 40A, 5Ohm, 15V 600V, 40A, 23Ohm, 15V 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-264-3 HPM F2 TO-264-3 TO-264-3
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Numéro de produit de base FGL60N100 - FGL12040 FGL60N100
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FGL60N100BNTDTU PDF

Téléchargez FGL60N100BNTDTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FGL60N100BNTDTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Device Marking Update 12/May/2015.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assem/Material Chg 10/Oct/2019.pdf
Feuilles de données
FGL60N100BNTD.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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