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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleFGH50T65SQD-F155
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FGH50T65SQD-F155 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FGH50T65SQD-F155
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FGH50T65SQD-F155
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FGH50T65SQD.pdf
État RoHS
En stock: 15761

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FGH50T65SQD-F155
onsemi - FGH50T65SQD-F155 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FGH50T65SQD-F155

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A  
Condition de test 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 22ns/105ns  
énergie de commutation 180µJ (on), 45µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 31 ns  
Puissance - Max 268 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 99 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 200 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 A  
Numéro de produit de base FGH50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FGH50T65SQD-F155

Attributs du produit FGH50T65SQD-F155 FGH50N6S2D FGH50N6S2D FGH50N3
Modèle de produit FGH50T65SQD-F155 FGH50N6S2D FGH50N6S2D FGH50N3
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 600 V 600 V 300 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Puissance - Max 268 W 463 W 463 W 463 W
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 A 75 A 75 A 75 A
gate charge 99 nC 70 nC 70 nC 180 nC
Temps de recouvrement inverse (trr) 31 ns 55 ns 55 ns -
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
Numéro de produit de base FGH50 FGH50 - FGH50
type de IGBT Trench Field Stop - - PT
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 200 A 240 A 240 A 240 A
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A 2.7V @ 15V, 30A 2.7V @ 15V, 30A 1.4V @ 15V, 30A
Condition de test 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V 390V, 30A, 3Ohm, 15V 390V, 30A, 3Ohm, 15V 180V, 30A, 5Ohm, 15V
énergie de commutation 180µJ (on), 45µJ (off) 260µJ (on), 250µJ (off) 260µJ (on), 250µJ (off) 130µJ (on), 92µJ (off)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 22ns/105ns 13ns/55ns 13ns/55ns 20ns/135ns

Fiche technique FGH50T65SQD-F155 PDF

Téléchargez FGH50T65SQD-F155 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FGH50T65SQD-F155 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FGH50T65SQD.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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