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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleFGA30N65SMD
FGA30N65SMD Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FGA30N65SMD - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FGA30N65SMD
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FGA30N65SMD
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FGA30N65SMD.pdf
État RoHS
En stock: 3650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FGA30N65SMD
onsemi - FGA30N65SMD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FGA30N65SMD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A  
Condition de test 400V, 30A, 6Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/102ns  
énergie de commutation 716µJ (on), 208µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 35 ns  
Puissance - Max 300 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Field Stop  
gate charge 87 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 90 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A  
Numéro de produit de base FGA30N65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FGA30N65SMD

Attributs du produit FGA30N65SMD FGA30N65SMD FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU
Modèle de produit FGA30N65SMD FGA30N65SMD FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Temps de recouvrement inverse (trr) 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A 2.5V @ 15V, 30A 1.4V @ 15V, 30A 1.4V @ 15V, 30A
type de IGBT Field Stop Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14ns/102ns 14ns/102ns 18ns/250ns 18ns/250ns
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
Puissance - Max 300 W 300 W 480 W 480 W
énergie de commutation 716µJ (on), 208µJ (off) 716µJ (on), 208µJ (off) 1.1mJ (on), 21mJ (off) 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 650 V 600 V 600 V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A 60 A 60 A 60 A
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3P TO-3P
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Condition de test 400V, 30A, 6Ohm, 15V 400V, 30A, 6Ohm, 15V 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 90 A 90 A 90 A 90 A
Numéro de produit de base FGA30N65 FGA30N65 FGA30N60 FGA30N60
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Séries - - - -
gate charge 87 nC 87 nC 225 nC 225 nC

Fiche technique FGA30N65SMD PDF

Téléchargez FGA30N65SMD PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FGA30N65SMD - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 08/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
FGA30N65SMD.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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