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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleFGA20N120FTDTU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FGA20N120FTDTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FGA20N120FTDTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FGA20N120FTDTU
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FGA20N120FTD.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 3890

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FGA20N120FTDTU
onsemi - FGA20N120FTDTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FGA20N120FTDTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A  
Condition de test -  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -  
énergie de commutation -  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 447 ns  
Puissance - Max 298 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 137 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A  
Numéro de produit de base FGA20N120  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FGA20N120FTDTU

Attributs du produit FGA20N120FTDTU FGA15S125P FGA180N30DTU FGA20S125P
Modèle de produit FGA20N120FTDTU FGA15S125P FGA180N30DTU FGA20S125P
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A 30 A 180 A 40 A
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A 2.72V @ 15V, 15A 1.4V @ 15V, 40A 2.5V @ 15V, 20A
gate charge 137 nC 129 nC 185 nC 129 nC
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1250 V 300 V 1250 V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base FGA20N120 FGA15S125 FGA180 FGA20S125
type de IGBT Trench Field Stop Trench - Trench Field Stop
Emballer Tube Tube Tube Tube
Puissance - Max 298 W 136 W 480 W 250 W
Condition de test - - - -
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3PN
Séries - - - -
énergie de commutation - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C - - - -
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Temps de recouvrement inverse (trr) 447 ns - 21 ns -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60 A 45 A 450 A 60 A

Fiche technique FGA20N120FTDTU PDF

Téléchargez FGA20N120FTDTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FGA20N120FTDTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold compound change 17/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
FGA20N120FTD.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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