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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDY2000PZ
FDY2000PZ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDY2000PZ - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDY2000PZ
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDY2000PZ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
FDY2000PZ.pdf
État RoHS
En stock: 4480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDY2000PZ
onsemi - FDY2000PZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDY2000PZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-563F  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V  
Puissance - Max 446mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 350mA  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDY20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDY2000PZ

Attributs du produit FDY2000PZ FDY3000NZ FDY2001PZ FDY2000PZ
Modèle de produit FDY2000PZ FDY3000NZ FDY2001PZ FDY2000PZ
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 8Ohm @ 150mA, 4.5V 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base FDY20 FDY3000 FDY20 FDY20
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V 60pF @ 10V 100pF @ 10V 100pF @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V 1.4nC @ 4.5V 1.4nC @ 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 350mA 600mA 150mA 350mA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Puissance - Max 446mW 446mW 446mW 446mW
Package composant fournisseur SOT-563F SOT-563F SOT-563F SOT-563F
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique FDY2000PZ PDF

Téléchargez FDY2000PZ PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDY2000PZ - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 20/Aug/2008.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Feuilles de données
FDY2000PZ.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Material Supply Chg 15/Aug/2019.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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