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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDV305N
FDV305N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDV305N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDV305N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDV305N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
FDV305N.pdf
État RoHS
En stock: 244280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDV305N
onsemi - FDV305N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDV305N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 900mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 109 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta)  
Numéro de produit de base FDV305  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDV305N

Attributs du produit FDV305N FDV304P FDV305N FDV304P
Modèle de produit FDV305N FDV304P FDV305N FDV304P
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 900mA, 4.5V 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V 220mOhm @ 900mA, 4.5V 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Numéro de produit de base FDV305 FDV304 - -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
Séries PowerTrench® - PowerTrench® -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V 1.5 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 109 pF @ 10 V 63 pF @ 10 V 109 pF @ 10 V 63 pF @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta) 460mA (Ta) 900mA (Ta) 460mA (Ta)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20 V 25 V 20 V 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Vgs (Max) ±12V ±8V ±12V ±8V

Fiche technique FDV305N PDF

Téléchargez FDV305N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDV305N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 17/May/2023.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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