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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDT3612
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDT3612 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDT3612
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDT3612
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
FDT3612.pdf
État RoHS
En stock: 102060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDT3612
onsemi - FDT3612 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDT3612

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta)  
Numéro de produit de base FDT36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDT3612

Attributs du produit FDT3612 FDT458P FDT3N40TF FDT1600N10ALZ
Modèle de produit FDT3612 FDT458P FDT3N40TF FDT1600N10ALZ
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 3.5 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 3.77 nC @ 10 V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Séries PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ PowerTrench®
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 2W (Tc) 10.42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.7A, 10V 130mOhm @ 3.4A, 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 160mOhm @ 2.8A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 400 V 100 V
Numéro de produit de base FDT36 FDT458 FDT3N40 FDT1600
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 50 V 205 pF @ 15 V 225 pF @ 25 V 225 pF @ 50 V
Package composant fournisseur SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V 5V, 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta) 3.4A (Ta) 2A (Tc) 5.6A (Tc)

Fiche technique FDT3612 PDF

Téléchargez FDT3612 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDT3612 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 21/May/2020.pdf
Feuilles de données
FDT3612.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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