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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDS8958A-F085
FDS8958A-F085 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS8958A-F085 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS8958A-F085
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS8958A-F085
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS8958A_F085.pdf
État RoHS
En stock: 4510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS8958A-F085
onsemi - FDS8958A-F085 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS8958A-F085

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A, 5A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base FDS89  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS8958A-F085

Attributs du produit FDS8958A-F085 FDS8958A-F085 FDS8958 FDS8958B
Modèle de produit FDS8958A-F085 FDS8958A-F085 FDS8958 FDS8958B
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Puissance - Max 900mW 900mW 2W 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 26mOhm @ 6.4A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V 16nC @ 10V 26nC @ 10V 12nC @ 10V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Numéro de produit de base FDS89 FDS89 FDS89 FDS89
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A, 5A 7A, 5A 7A, 5A 6.4A, 4.5A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V 575pF @ 15V 789pF @ 10V 540pF @ 15V
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FDS8958A-F085 PDF

Téléchargez FDS8958A-F085 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS8958A-F085 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
FDS8958A_F085.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL 17/Dec/2021.pdf Mult Dev LTB Ext 13/Jan/2022.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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