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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS7779Z
FDS7779Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS7779Z - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS7779Z
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS7779Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS7779Z.pdf
En stock: 3600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS7779Z
onsemi - FDS7779Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS7779Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS77  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS7779Z

Attributs du produit FDS7779Z FDS7766 FDS7779Z FDS7788
Modèle de produit FDS7779Z FDS7766 FDS7779Z FDS7788
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (Max) ±25V ±16V ±25V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 15 V 4973 pF @ 15 V 3800 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FDS77 - - FDS77
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 1W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta) 17A (Ta) 16A (Ta) 18A (Ta)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 69 nC @ 5 V 98 nC @ 10 V 48 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 16A, 10V 5mOhm @ 17A, 10V 7.2mOhm @ 16A, 10V 4mOhm @ 18A, 10V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FDS7779Z PDF

Téléchargez FDS7779Z PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS7779Z - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDS7779Z.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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