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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS7088N7
FDS7088N7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS7088N7 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS7088N7
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS7088N7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Fiche technique
FDS7088N7.pdf
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS7088N7
onsemi - FDS7088N7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS7088N7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO FLMP  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS70  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS7088N7

Attributs du produit FDS7088N7 FDS7088N3 FDS7096N3 FDS7088N7
Modèle de produit FDS7088N7 FDS7088N3 FDS7096N3 FDS7088N7
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 3mOhm @ 23A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Package composant fournisseur 8-SO FLMP 8-SO 8-SOIC 8-SO
Numéro de produit de base FDS70 - FDS70 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 1587 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta) 21A (Ta) 14A (Ta) 23A (Ta)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

Fiche technique FDS7088N7 PDF

Téléchargez FDS7088N7 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS7088N7 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Feuilles de données
FDS7088N7.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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