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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS7066ASN3
FDS7066ASN3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS7066ASN3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS7066ASN3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS7066ASN3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Fiche technique
FDS7066ASN3.pdf
En stock: 5380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS7066ASN3
onsemi - FDS7066ASN3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS7066ASN3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO FLMP  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS70  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS7066ASN3

Attributs du produit FDS7066ASN3 FDS7066N7 FDS7064N7 FDS7079ZN3
Modèle de produit FDS7066ASN3 FDS7066N7 FDS7064N7 FDS7079ZN3
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±12V ±25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta) 23A (Ta) 16.5A (Ta) 16A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 15 V 4973 pF @ 15 V 3355 pF @ 15 V 3630 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3.13W (Ta)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 19A, 10V 4.5mOhm @ 23A, 10V 7mOhm @ 16.5A, 4.5V 7.5mOhm @ 16A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FDS70 FDS70 - FDS70
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 69 nC @ 5 V 48 nC @ 4.5 V 55 nC @ 5 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur 8-SO FLMP 8-SO FLMP 8-SO 8-SO FLMP
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -

Fiche technique FDS7066ASN3 PDF

Téléchargez FDS7066ASN3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS7066ASN3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Feuilles de données
FDS7066ASN3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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