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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDS6890A
FDS6890A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS6890A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS6890A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS6890A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS6890A.pdf
État RoHS
En stock: 48310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS6890A
onsemi - FDS6890A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS6890A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.5A, 4.5V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2130pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDS6890  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS6890A

Attributs du produit FDS6890A FDS6890A FDS6875 FDS6892A
Modèle de produit FDS6890A FDS6890A FDS6875 FDS6892A
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V 32nC @ 4.5V 31nC @ 5V 17nC @ 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.5A, 4.5V 18mOhm @ 7.5A, 4.5V 30mOhm @ 6A, 4.5V 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2130pF @ 10V 2130pF @ 10V 2250pF @ 10V 1333pF @ 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A 7.5A 6A 7.5A
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Numéro de produit de base FDS6890 FDS6890 FDS68 FDS68
Puissance - Max 900mW 900mW 900mW 900mW

Fiche technique FDS6890A PDF

Téléchargez FDS6890A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS6890A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
Feuilles de données
FDS6890A.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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