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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS6679Z
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FDS6679Z - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS6679Z
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS6679Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS6679Z.pdf
Notre certification
En stock: 5380

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDS6679Z
onsemi - FDS6679Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS6679Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) +20V, -25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3803 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS66  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS6679Z

Attributs du produit FDS6679Z FDS6679AZ FDS6680 FDS6679AZ
Modèle de produit FDS6679Z FDS6679AZ FDS6680 FDS6679AZ
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 13A, 10V 9.3mOhm @ 13A, 10V 10mOhm @ 11.5A, 10V 9.3mOhm @ 13A, 10V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3803 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 2070 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) +20V, -25V ±25V ±20V ±25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 27 nC @ 5 V 96 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Numéro de produit de base FDS66 - - FDS6679
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta) 13A (Ta) 11.5A (Ta) 13A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V

Fiche technique FDS6679Z PDF

Téléchargez FDS6679Z PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS6679Z - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDS6679Z.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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