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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS6673BZ
FDS6673BZ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS6673BZ - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS6673BZ
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS6673BZ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS6673BZ.pdf
État RoHS
En stock: 67530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS6673BZ
onsemi - FDS6673BZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS6673BZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 14.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14.5A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS6673  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS6673BZ

Attributs du produit FDS6673BZ FDS6675A FDS6675BZ FDS6670S
Modèle de produit FDS6673BZ FDS6675A FDS6675BZ FDS6670S
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14.5A (Ta) 11A (Ta) 11A (Ta) 13.5A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V 34 nC @ 5 V 62 nC @ 10 V 34 nC @ 5 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FDS6673 FDS66 - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 15 V 2330 pF @ 15 V 2470 pF @ 15 V 2674 pF @ 15 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 14.5A, 10V 13mOhm @ 11A, 10V 13mOhm @ 11A, 10V 9mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 1W (Ta)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±20V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

Fiche technique FDS6673BZ PDF

Téléchargez FDS6673BZ PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS6673BZ - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Sourcing Chg 21/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
FDS6673BZ.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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