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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS6064N7
FDS6064N7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS6064N7 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS6064N7
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS6064N7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Fiche technique
FDS6064N7.pdf
En stock: 3630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS6064N7
onsemi - FDS6064N7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS6064N7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO FLMP  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 23A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7191 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS6064N7

Attributs du produit FDS6064N7 FDS6298 FDS6162N7 FDS6064N7
Modèle de produit FDS6064N7 FDS6298 FDS6162N7 FDS6064N7
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±8V ±20V ±12V ±8V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 4.5 V 14 nC @ 5 V 73 nC @ 4.5 V 98 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO FLMP 8-SOIC 8-SO 8-SO
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 23A, 4.5V 9mOhm @ 13A, 10V 3.5mOhm @ 23A, 4.5V 3.5mOhm @ 23A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta) 13A (Ta) 23A (Ta) 23A (Ta)
Numéro de produit de base FDS60 FDS62 - -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7191 pF @ 10 V 1108 pF @ 15 V 5521 pF @ 10 V 7191 pF @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

Fiche technique FDS6064N7 PDF

Téléchargez FDS6064N7 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS6064N7 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Feuilles de données
FDS6064N7.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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