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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS4770
FDS4770 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS4770 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS4770
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS4770
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS4770.pdf
En stock: 5480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS4770
onsemi - FDS4770 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS4770

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13.2A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS47  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS4770

Attributs du produit FDS4770 FDS4770 FDS4685 FDS4685
Modèle de produit FDS4770 FDS4770 FDS4685 FDS4685
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V 2819 pF @ 20 V 1872 pF @ 20 V 1872 pF @ 20 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 27 nC @ 5 V 27 nC @ 5 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Numéro de produit de base FDS47 - FDS46 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13.2A (Ta) 13.2A (Ta) 8.2A (Ta) 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13.2A, 10V 7.5mOhm @ 13.2A, 10V 27mOhm @ 8.2A, 10V 27mOhm @ 8.2A, 10V

Fiche technique FDS4770 PDF

Téléchargez FDS4770 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS4770 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Feuilles de données
FDS4770.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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