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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDS4501H
FDS4501H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS4501H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS4501H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS4501H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS4501H.pdf
État RoHS
En stock: 62380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS4501H
onsemi - FDS4501H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS4501H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1958pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V, 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.3A, 5.6A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base FDS4501  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS4501H

Attributs du produit FDS4501H FDS4501H FDS4501AH FDS4488
Modèle de produit FDS4501H FDS4501H FDS4501AH FDS4488
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild (onsemi) Fairchild Semiconductor
Numéro de produit de base FDS4501 FDS4501 - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.3A, 5.6A 9.3A, 5.6A - 7.9A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk - Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1958pF @ 10V 1958pF @ 10V - 927 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V 18mOhm @ 9.3A, 10V - 22mOhm @ 7.9A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V - 13 nC @ 5 V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC - 8-SOIC
Puissance - Max 1W 1W - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - 3V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 30V, 20V 30V, 20V - 30 V
Configuration N and P-Channel N and P-Channel - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Séries PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®

Fiche technique FDS4501H PDF

Téléchargez FDS4501H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS4501H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Feuilles de données
FDS4501H.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab 02/Aug/2020.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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