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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS4070N7
FDS4070N7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS4070N7 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS4070N7
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS4070N7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Fiche technique
FDS4070N7.pdf
En stock: 5410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS4070N7
onsemi - FDS4070N7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS4070N7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO FLMP  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15.3A (Ta)  
Numéro de produit de base FDS40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS4070N7

Attributs du produit FDS4070N7 FDS4070N3 FDS4080N3 FDS4070N3
Modèle de produit FDS4070N7 FDS4070N3 FDS4080N3 FDS4070N3
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15.3A, 10V 7.5mOhm @ 15.3A, 10V 10.5mOhm @ 13A, 10V 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Package composant fournisseur 8-SO FLMP 8-SO 8-SO 8-SO FLMP
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FDS40 - - FDS40
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V 2819 pF @ 20 V 1750 pF @ 20 V 2819 pF @ 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15.3A (Ta) 15.3A (Ta) 13A (Ta) 15.3A (Ta)

Fiche technique FDS4070N7 PDF

Téléchargez FDS4070N7 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS4070N7 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Feuilles de données
FDS4070N7.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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