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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF39N20TLDTU
FDPF39N20TLDTU Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF39N20TLDTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDPF39N20TLDTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF39N20TLDTU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 39A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDP(F)39N20.pdf
État RoHS
En stock: 4010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF39N20TLDTU
onsemi - FDPF39N20TLDTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDPF39N20TLDTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 19.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 39A (Tc)  
Numéro de produit de base FDPF39  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDPF39N20TLDTU

Attributs du produit FDPF39N20TLDTU FDPF44N25T FDPF3860TYDTU FDPF3N50NZ
Modèle de produit FDPF39N20TLDTU FDPF44N25T FDPF3860TYDTU FDPF3N50NZ
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Séries - UniFET™ PowerTrench® UniFET-II™
Package composant fournisseur TO-220F TO-220F-3 TO-220F-3 (Y-Forming) TO-220F-3
Numéro de produit de base FDPF39 - - FDPF3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 19.5A, 10V 69mOhm @ 22A, 10V 38.2mOhm @ 5.9A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc) 38W (Tc) 33.8W (Tc) 27W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 25 V 2870 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 280 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 250 V 100 V 500 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 39A (Tc) 44A (Tc) 20A (Tc) 3A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±25V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique FDPF39N20TLDTU PDF

Téléchargez FDPF39N20TLDTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDPF39N20TLDTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
FDP(F)39N20.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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