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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP8874
FDP8874 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP8874 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP8874
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP8874
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP8874.pdf
État RoHS
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP8874
onsemi - FDP8874 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP8874

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta), 114A (Tc)  
Numéro de produit de base FDP88  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP8874

Attributs du produit FDP8874 FDP8860 FDP8860 FDP8896
Modèle de produit FDP8874 FDP8860 FDP8860 FDP8896
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta), 114A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 16A (Ta), 92A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 15 V 12240 pF @ 15 V 12240 pF @ 15 V 2525 pF @ 15 V
Numéro de produit de base FDP88 - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 222 nC @ 10 V 222 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 254W (Tc) 254W (Tc) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 40A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 5.9mOhm @ 35A, 10V

Fiche technique FDP8874 PDF

Téléchargez FDP8874 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP8874 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP8874.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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