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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP4D5N10C
FDP4D5N10C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP4D5N10C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP4D5N10C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP4D5N10C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C.pdf
État RoHS
En stock: 15527

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP4D5N10C
onsemi - FDP4D5N10C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP4D5N10C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 310µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5065 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 128A (Tc)  
Numéro de produit de base FDP4D5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP4D5N10C

Attributs du produit FDP4D5N10C FDP42AN15A0 FDP55N06 FDP5500-F085
Modèle de produit FDP4D5N10C FDP42AN15A0 FDP55N06 FDP5500-F085
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 310µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 150W (Tc) 150W (Tc) 114W (Tc) 375W (Tc)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5065 pF @ 50 V 2150 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V 3565 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 100 V 150 V 60 V 55 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 269 nC @ 20 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base FDP4D5 FDP42 - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 128A (Tc) 5A (Ta), 35A (Tc) 55A (Tc) 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V 42mOhm @ 12A, 10V 22mOhm @ 27.5A, 10V 7mOhm @ 80A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V

Fiche technique FDP4D5N10C PDF

Téléchargez FDP4D5N10C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP4D5N10C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T 17/Jun/2021.pdf
Feuilles de données
FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FDP4D5N10C

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32D-FDP4D5N10C

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