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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP16AN08A0
FDP16AN08A0 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP16AN08A0 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP16AN08A0
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP16AN08A0
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
État RoHS
En stock: 57880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP16AN08A0
onsemi - FDP16AN08A0 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP16AN08A0

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 58A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 135W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1857 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 58A (Tc)  
Numéro de produit de base FDP16  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP16AN08A0

Attributs du produit FDP16AN08A0 FDP18N20F FDP16N50 FDP15N40
Modèle de produit FDP16AN08A0 FDP18N20F FDP16N50 FDP15N40
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 58A, 10V 145mOhm @ 9A, 10V 380mOhm @ 8A, 10V 300mOhm @ 7.5A, 10V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 75 V 200 V 500 V 400 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1857 pF @ 25 V 1180 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 1750 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 58A (Tc) 18A (Tc) 16A (Tc) 15A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 135W (Tc) 100W (Tc) 200W (Tc) 170W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries PowerTrench® UniFET™ UniFET™ UniFET™
Numéro de produit de base FDP16 - - FDP15

Fiche technique FDP16AN08A0 PDF

Téléchargez FDP16AN08A0 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP16AN08A0 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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