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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDN337N
FDN337N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDN337N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDN337N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDN337N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
FDN337N.pdf
État RoHS
En stock: 204550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDN337N
onsemi - FDN337N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDN337N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta)  
Numéro de produit de base FDN337  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDN337N

Attributs du produit FDN337N FDN338P FDN336P FDN336P-NL
Modèle de produit FDN337N FDN338P FDN336P FDN336P-NL
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta) 1.6A (Ta) 1.3A (Ta) 1.3A (Ta)
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numéro de produit de base FDN337 - - FDN336
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V 451 pF @ 10 V 330 pF @ 10 V 330 pF @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 2.2A, 4.5V 115mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 6.2 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V
Fonction FET - - - -
Séries - PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

Fiche technique FDN337N PDF

Téléchargez FDN337N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDN337N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
FDN337N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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