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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS8333L
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS8333L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS8333L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS8333L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS8333L.pdf
État RoHS
En stock: 46440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS8333L
onsemi - FDMS8333L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS8333L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4545 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 76A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS8333  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS8333L

Attributs du produit FDMS8333L FDMS8320L FDMS8558SDC FDMS8558S
Modèle de produit FDMS8333L FDMS8320L FDMS8558SDC FDMS8558S
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 25 V 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 22A, 10V 1.1mOhm @ 32A, 10V 1.5mOhm @ 38A, 10V 1.5mOhm @ 33A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FDMS8333 FDMS8320 - FDMS85
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 3.3W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4545 pF @ 20 V 11110 pF @ 20 V 5118 pF @ 13 V 5118 pF @ 13 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 76A (Tc) 36A (Ta), 100A (Tc) 38A (Ta), 90A (Tc) 33A (Ta), 90A (Tc)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

Fiche technique FDMS8333L PDF

Téléchargez FDMS8333L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS8333L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
FDMS8333L.pdf
Assemblage / origine PCN
FDMSYYY 10/Jan/2018.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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