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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS7670
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS7670 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS7670
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS7670
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS7670.pdf
État RoHS
En stock: 56090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS7670
onsemi - FDMS7670 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS7670

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 62W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4105 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 42A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS76  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS7670

Attributs du produit FDMS7670 FDMS7672 FDMS7660 FDMS7660AS
Modèle de produit FDMS7670 FDMS7672 FDMS7660 FDMS7660AS
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Numéro de produit de base FDMS76 - FDMS76 FDMS7660
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 62W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4105 pF @ 15 V 2960 pF @ 15 V 5565 pF @ 15 V 6120 pF @ 15 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 42A (Tc) 19A (Ta), 28A (Tc) 25A (Ta), 42A (Tc) 26A (Ta), 42A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 21A, 10V 5mOhm @ 19A, 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V

Fiche technique FDMS7670 PDF

Téléchargez FDMS7670 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS7670 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Materials 14/Apr/2009.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
FDMS7670.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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